“最良”の半導体材か、シリコン上回る特性「立方晶ヒ化ホウ素」で確認 （ニュースイッチ）

米マサチューセッツ工科大学（MIT）や米ヒューストン大学などの研究チームは、半導体材料として立方晶ヒ化ホウ素（c―BAs）がシリコンを上回る特性を持つことを実験で確認した。電子だけでなくホール（正孔）の移動度も同様に高く、熱伝導性に優れることから「これまでで『最良』の半導体材料ではない…