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東京大学生産技術研究所(東大生研)は7月5日、スパッタリング法を用いて高品質な窒化物半導体結晶を合成する手法を開発し、新規電極結晶「縮退GaN」の合成に成功。次世代パワー半導体材料「窒化アルミニウムガリウム(AlGaN)」と接触させることで低抵抗な高性能AlGaNトランジスタの試作に成功したことを…