バイデン米大統領（ゲッティ＝共同）バイデン米大統領は9日、半導体の生産や研究開発に527億ドル（約7兆1千億円）を投資する法案に署名し、同法が成立した。ハイテク先端技術を巡る米中分断が深まる中、現代生活に不可欠な半導体の国際競争力を高め、中国に対抗する。日米は半導体関連で協調関係にある…
バイデン米大統領（ゲッティ＝共同）バイデン米大統領は9日、半導体の生産や研究開発に527億ドル（約7兆1千億円）を投資する法案に署名し、同法が成立した。ハイテク先端技術を巡る米中分断が深まる中、現代生活に不可欠な半導体の国際競争力を高め、中国に対抗する。日米は半導体関連で協調関係にある…