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三次元垂直チャネル型強誘電体／反強誘電体トランジスタメモリを開発 東京大学生産技術研究所の小林正治准教授と奈良先端科学技術大学院大学の浦岡行治教授らによる共同研究グループは2022年6月、酸化インジウム（In2O3）の成膜に原子層堆積（ALD）法を用いる技術を開発、この技術を活用して三次元垂直…