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東京大学(東大)と北陸先端科学技術大学院大学(JAIST)は、酸化物半導体の「酸化インジウム」(In2O3)を従来のスパッタ法ではなく、「原子層堆積(ALD)法」で成膜する技術を開発し、三次元垂直チャネル型の強誘電体および反強誘電体トランジスタメモリの開発に成功したと発表した。 同成果は、東大 生産技…