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資料の紹介 電力用半導体スイッチング素子を利用して電力変換や制御を行うパワーエレクトロニクス製品。これまでは主にSi（シリコン）半導体を用いたパワーMOSFET（金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ）やIGBT（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）が使われてきたが、近年はSiに変わりSiC（炭化ケ…