東芝など、ダブルゲート構造の逆導通型IEGTの開発に成功 （マイナビ）

東芝デバイス＆ストレージと東芝は6月15日、電力の制御などに用いられるパワー半導体において、ダブルゲート構造を採用した4500V耐圧の「逆導通型IEGT」(電子注入促進型絶縁ゲートトランジスタ)を開発し、従来のゲート制御を行わないシングルゲート構造と比較して電力のオン/オフが切り替わるスイッチ…