もっと詳しく

全2732文字 PR ルネサス エレクトロニクスは、マイコンに混載する不揮発性メモリー「STT-MRAM（スピン注入磁化反転型磁気抵抗メモリー、以下MRAM）」を高速アクセスできる技術を開発した ニュースリリース 。今回の技術を使えば、現在マイコンに混載されている不揮発性メモリーのフラッシュメモリーと…