東ソーは1―2年以内にシリコン基板へ窒化ガリウム（GaN）を成膜するスパッタリングターゲット材の市場投入を目指す。スパッタ法は化学気相成長法（CVD）に比べ装置コスト低減や材料の利用効率向上を図れる。同社はCVD法並みの高品質膜を形成する純度99・999％のターゲット材技術を構築。パワー半導体や…
東ソーは1―2年以内にシリコン基板へ窒化ガリウム（GaN）を成膜するスパッタリングターゲット材の市場投入を目指す。スパッタ法は化学気相成長法（CVD）に比べ装置コスト低減や材料の利用効率向上を図れる。同社はCVD法並みの高品質膜を形成する純度99・999％のターゲット材技術を構築。パワー半導体や…