もっと詳しく

MGとCGを設けて、導通損失とスイッチング損失の関係を改善 東芝デバイス＆ストレージと東芝は2022年6月、ダブルゲート構造を採用することでスイッチング損失を低減した、耐圧4500Vの逆導通型IEGT（電子注入促進型絶縁ゲートトランジスタ）を開発したと発表した。2025年以降の実用化を目指す。 IEGTは、…