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情報の記憶速度はピコ秒台へ、書き込み時の電力量も極めて小さく 東京大学は2022年7月、理化学研究所などと共同で、反強磁性体における垂直2値状態を電流制御することに成功したと発表した。磁気抵抗メモリ（MRAM）のさらなる高速化や低消費電力化を可能にする技術だという。 MRAMは情報を記録する方法…