作製したGaN結晶は従来品に比べ欠陥が少なく透明度が高い=東北大学提供東北大学や日本製鋼所、三菱ケミカルの研究グループは、次世代半導体の基板材料として期待されている窒化ガリウム（GaN）結晶の新しい製造手法を開発した。結晶中にできる微細な空洞の数が従来手法に比べて最大1000分の1程度に減り…
作製したGaN結晶は従来品に比べ欠陥が少なく透明度が高い=東北大学提供東北大学や日本製鋼所、三菱ケミカルの研究グループは、次世代半導体の基板材料として期待されている窒化ガリウム（GaN）結晶の新しい製造手法を開発した。結晶中にできる微細な空洞の数が従来手法に比べて最大1000分の1程度に減り…