東大など、反強磁性体MRAMによる「垂直2値状態」の実現と電気的制御に成功 （マイナビ）

東京大学(東大)、理化学研究所(理研)、科学技術振興機構(JST)の3者は7月21日、不揮発性メモリの超高速化・超低消費電力化を実現可能にする材料として注目を集める反強磁性体において、従来の強磁性体から構成されるMRAMで用いられている「垂直2値状態」を実現し、同状態を電気的に制御することに成功し…